SE and In-Beam SE

 

الکترون های ثانویه (Secondary Electron (SE الکترون هایی با انرژی پایین هستند که از لایه های سطحی نمونه (در حد چند نانومتر) خارج میشوند. به همین علت تصاویری با کیفیت و وضوح بالا از سطح که برای بررسی های توپوگرافی بسیار مناسب است، ایجاد میکنند. این الکترون ها زمانی ایجاد می شوند که الکترون های اولیه پرتو با نمونه برخورد کرده و باعث خروج الکترون های ثاویه از نمونه میشوند. انرژی این الکترون ها کمتر از 50 الکترون ولت است.

 

معروفترین نوع آشکارسازهای SE آشکار ساز Everhart-Thornley یا E-T است که یک نوع سینتیلاتور است که بازده بسیار بالا و نویز بسیار پایین در جمع آوری الکترون های ثانویه دارد. شبکه موجود در آشکارساز که با بار مثبت شارژ شده است (در حدود چندصد ولت) برای جمع آوری الکترون های ثانویه با بار منفی کاربرد دارد. این آشکارساز در یک سوی نمونه در داخل محفظه میکروسکوپ قرار دارد.

 

 

 

 

 

تصاویر SE تصاویری با جزئیات بسیار عالی از سطح و لبه های نمونه است. ناحیه ای از نمونه که روبه روی آشکار ساز قراردارد عموما تصاویر روشن تری نسبت به تصاویر دورتر به آشکارساز ایجاد میکند. همچنین لبه ها و نقاط تیز به علت بیشتر بودن الکترون های ثانویه آزاد شده تصاویر روشن تری خواهند داشت.

یک نوع دیگر آشکار ساز، آشکارساز In-Beam SE است که در لنز شیئی قرار دارد. مزیت این نوع آشکارساز این است که میتواند در فاصله های کاری بسیار کم، تصاویری با بهترین رزولوشن و وضوح ایجاد کند. با این نوع از آشکارساز میتوان جزئیات بسیار دقیقی از توپوگرافی سطح و نقاط برجسته آن به دست آورد.

تمامی میکروسکوپ های TESCAN به آشکارساز E-T با بازده بسیار بالا به عنوان یک آشکارساز غیر قابل حذف (استاندارد) مجهز شده اند. آشکار ساز In-Beam SE به شکل اختیاری برای برای دستگاه های MIRA3، TIMA X، LYRA3 و FERA3 و به شکل استاندارد برای میکروسکوپ های MAIA3، GAIA3 و XEIA3 قرارداده شده است.

 

                                                          

                                   Silicon substrate with nanocrystalline diamonds with Si vacancies                                     Sample of LiFePO4 imaged at 3 keV with the In-Beam SE detector                                                   imaged at 2 keV with the In-Beam SE detector

     

 

                                                      

                     Carbon fibres with silver nanoparticles imaged at 1 keV with the In-Beam SE detector                   Wire bond in a microelectronic device imaged at 5 keV  with the SE